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領先全球!中國首發8寸光電芯片晶圓,比美國、日本還先進
2024/03/02

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眾所周知,目前在普通的硅芯片上,較先進的工藝采用的都是12寸晶圓,只有一些非常成熟的芯片,才使用8寸、6寸、4寸晶圓。

可以說,芯片工藝越先進,硅晶圓尺寸越大,因為這樣浪費少,成本低。但硅晶圓尺寸越大,難度就越大,技術要求就越高。

不過,雖然普通的硅基晶圓已經發展到了12寸,但一些特殊材料的晶圓,目前很多還在4寸、6寸、8寸的階段。

比如 薄膜鈮酸鋰晶圓,目前半導體材料強國日本,以及美國,其實現的技術水平,也就處于6寸的水平。

薄膜鈮酸鋰晶圓是什麼晶圓?它其實是光電芯片的材料之一,集成光電收發功能,在濾波器、光通訊、量子通信、航空航天等領域,有重要作用。

鈮酸鋰材料脆性大,大尺寸制備非常困難,所以日本、美國才只有6寸水平,行業內一直在研究8寸晶圓的制備水平,看誰領先。

而近日,全球首片8寸硅光薄膜鈮酸鋰光電集成晶圓在湖北下線,說明中國在這項技術上更領先了。

此項成果使用8寸SOI硅光晶圓鍵合8寸鈮酸鋰晶圓,為目前全球硅基化合物光電集成最先進技術,按照說法,接下來會很快實現產業商用。

最近幾年來,隨著5G、大數據、AI等的發展,光電芯片得到了極大的關注,而 鈮酸鋰因為其材料特性被認為是最理想的光子集成材料。

所以這次中國全球量產8寸鈮酸鋰晶圓,也意味著接下來,中國有望基于薄膜鈮酸鋰的大規模光電集成技術,引領行業變革。在光量子計算、大數據中心、人工智能及光傳感激光雷達等領域彰顯其應用價值。

當然,目前8寸鈮酸鋰晶圓還只是從實驗室下線,接下來要大規模量產,還需要一點時間,我們還需要謹慎樂觀。但同時這件事背后,這也意味著,只要我們努力,在芯片產業上,一定會有各個點層面的的技術突破,而這些新的突破,會以點帶面,形成一個整體,最終助力中國芯片產業騰飛,你覺得呢?

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